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| Artikelnummer: | FQB24N08TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.75W (Ta), 75W (Tc) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24A (Tc) |
| FQB24N08TM Einzelheiten PDF [English] | FQB24N08TM PDF - EN.pdf |




FQB24N08TM
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N-Kanal 80V, 24A (Tc), 3,75W (Ta), 75W (Tc), Oberflächemontage DPAK (TO-263AB)
N-Kanal MOSFET
80V Drain-Source-Spannung
24A Dauer-Drain-Strom (Tc)
3,75W Leistungsaufnahme (Ta), 75W (Tc)
Oberflächemontage DPAK (TO-263AB) Gehäuse
Hohe Leistungsfähigkeit
Eignet sich für verschiedene Leistungsanwendungen
Zuverlässige und langlebige Performance
Tape & Reel (TR) Verpackung
DPAK (TO-263AB) Gehäuse für Oberflächenmontage
2 Anschlüsse + Kühlfahne
Unterstützt den Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C (TJ)
Bietet ausgezeichnete elektrische und thermische Eigenschaften
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und befindet sich nicht in der Auslaufphase
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