Deutsch

| Artikelnummer: | FDR836P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | P-CHANNEL MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.86 |
| 200+ | $0.333 |
| 500+ | $0.3214 |
| 1000+ | $0.3156 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-8 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 900mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.1A (Ta) |
| FDR836P Einzelheiten PDF [English] | FDR836P PDF - EN.pdf |




FDR836P
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte von Fairchild Semiconductor und bietet Kunden erstklassige Produkte und Serviceleistungen.
Der FDR836P ist ein P-Kanal PowerTrench® MOSFET von Fairchild Semiconductor. Es handelt sich um ein Oberfläche-montiertes Bauteil im SuperSOT™-8 Gehäuse.
P-Kanal MOSFET
PowerTrench® Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss) = 20V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) = 6,1A
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) = 30mOhm
Maximale Gate-Ladung (Qg) = 44nC
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Niedriger On-Widerstand für bessere Effizienz
Hohe Strombelastbarkeit
Kompaktes Surface-Mount-Gehäuse
Zuverlässige PowerTrench® Technologie
Gehäuse: 8-LSOP (0,130 Zoll, 3,30 mm Breite)
Verpackungsart: Bulk
Thermische Eigenschaften: Maximal 900mW Verlustleistung
Elektrische Eigenschaften: Vgs (Max) = ± 8V
Das FDR836P ist ein aktives Produkt.
Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Website für weitere Informationen.
Energieverwaltung
Motorsteuerung
Akku-Ladegeräte
Allzweck-Schalteranwendungen
Das autoritativste Datenblatt für den FDR836P ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, dieses herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden geraten, Angebote für den FDR836P auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem limitierten Sonderangebot zu profitieren.
FDR838P_NL FAIRCHI
FDR838P-NL FAIRCHI
FDR6678A FSC
FAIRCHILD SOP-8
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
FDR840P-ND FSC
FDR840P-ND(FDS840P) FSC
FAIRCHILD SOT-8
FAIRCHILD SOT-8
MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
FDR8321L FSC
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
FDS SOP-8
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/10/30
2024/04/27
2025/01/21
2024/11/13
FDR836PFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|