Deutsch

| Artikelnummer: | FDMB3900AN |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 13V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | FDMB3900 |
| FDMB3900AN Einzelheiten PDF [English] | FDMB3900AN PDF - EN.pdf |




FDMB3900AN
Y-IC ist ein Anbieter qualitativ hochwertiger Produkte der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der FDMB3900AN ist ein dualer N-Kanal-Leistungstransistor (Power MOSFET) in einem kompakten 8-poligen PowerWDFN-Gehäuse. Er zeichnet sich durch einen geringen on-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit aus und eignet sich somit für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energiemanagement.
Dualer N-Kanal-Leistungstransistor
Geringer on-Widerstand (max. 23 mOhm bei 7 A, 10 V)
Hohe Strombelastbarkeit (kontinuierlicher Drain-Strom von 7 A)
Logikpegel-Gate (max. 3 V Gate-Source-SchwellenSpannung)
PowerTrench®-Technologie für verbesserte Leistung
Kompaktes und effizientes Design
Hervorragende thermische Leistungsfähigkeit
Zuverlässige und langlebige Performance
Vielseitig einsetzbar für unterschiedlichste Energiemanagement-Anwendungen
Der FDMB3900AN ist in einem 8-poligen PowerWDFN-Flächenmontagegehäuse verpackt. Die Gehäusemaße betragen 3 x 1,9 mm.
Das Produkt FDMB3900AN ist veraltet. Es sind entsprechende oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über unsere Webseite zu kontaktieren, um passende Ersatzlösungen zu besprechen.
Energiemanagement
Motorkontrolle
Schaltnetzteile
Lastschaltungen
Batteries charger
Das offizielle Datenblatt für den FDMB3900AN steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden können auf unserer Webseite ein Angebot für den FDMB3900AN anfordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um mehr über dieses Produkt zu erfahren und unsere aktuellen Sonderangebote zu entdecken.
FAIRCHILD WDFN-8
MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
INTEGRATED CIRCUIT
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
ON WDFN-8
MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2P-CH MLP2X3
MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
FAIRCHILD MLP-6
MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO
FAIRCHILD QFN
MOSFET 2N-CH 6MLP
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
FDMB3900ANFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|