Deutsch

| Artikelnummer: | FDD5810 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1975 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 32A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 72W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.4A (Ta), 37A (Tc) |
| FDD5810 Einzelheiten PDF [English] | FDD5810 PDF - EN.pdf |




FDD5810
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N-Kanal 60V, 7,4A (Ta), 37A (Tc), 72W (Tc), Oberflächenmontage, D-PAK (TO-252)
N-Kanal MOSFET
60V Drain-Source-Spannung
7,4A (Ta), 37A (Tc) Dauer-Drahstrom
72W (Tc) Leistungsaufnahme
Oberflächenmontage D-PAK (TO-252) Gehäuse
Hohe Leistungsfähigkeit
Niedriger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Vielseitig einsetzbar in verschiedensten Leistungsmanagementanwendungen
Rollen& Streifenverpackung (T&R)
D-PAK (TO-252) Gehäuse
Oberflächenmontage
Das Produkt steht nicht vor dem Auslauf.
Es sind vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich, einschließlich [Liste der gleichwertigen/alternativen Modelle].
Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Leistungsmanagement
Energieumwandlung
Motorsteuerung
Schaltanwendungen
Das offizielle Datenblatt für das Modell FDD5810 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Fordern Sie auf unserer Webseite ein Angebot für den FDD5810 an. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die beste Lösung für Ihre Anforderungen zu finden.
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
FAIRCHILD TO-252
FDD5N20L FSC
FDD5N50 FAIRCHI
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FSC TO-252
FAIRCHILD SOT-252
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/02/13
2024/11/5
2024/12/17
2025/01/23
FDD5810Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|