Deutsch

| Artikelnummer: | FDD16AN08A0 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.8024 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 135W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1874 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta), 50A (Tc) |
| FDD16AN08A0 Einzelheiten PDF [English] | FDD16AN08A0 PDF - EN.pdf |




FDD16AN08A0
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von onsemi und bietet seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDD16AN08A0 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 75 V zwischen Drain und Source sowie einem konstanten Drain-Strom von 9 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen on-Widerstand von nur 16 mΩ bei 50 A und 10 V aus.
N-Kanal-MOSFET
75 V Drain-Source-Spannung
9 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
Sehr niedriger On-Widerstand von 16 mΩ bei 50 A und 10 V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Hohe Effizienz und ausgezeichnete Wärmeleistung
Robustes und zuverlässiges Design
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungsanwendungen
Tape-and-Reel-Verpackung
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Anschlussklemme), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Der FDD16AN08A0 ist ein aktiv geführtes Produkt
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Netzteile
Motorsteuerungen
Automobiltechnik
Industrielle Anwendungen
Das offizielle Datenblatt für den FDD16AN08A0 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen Kunden, es für vollständige technische Details herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot über unsere Webseite an. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über unser zeitlich begrenztes Angebot.
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
FDD16AN08AO FAIRCHI
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
FDD1600N10AO FAIRCHI
MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
FAIRCHILD TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild TO-252
MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AA
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
FDD16AN08A FAI
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDD16AN08_F085 F
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/02/16
2024/09/19
2025/02/3
2025/06/18
FDD16AN08A0Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|