Deutsch
| Artikelnummer: | FQD7N20TF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 2.65A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.3A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQD7 |
| FQD7N20TF Einzelheiten PDF [English] | FQD7N20TF PDF - EN.pdf |




FQD7N20TF
onsemi (Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Services)
Der FQD7N20TF ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einem Dauer-Drain-Strom von 5,3 A bei 25 °C Gehäusetemperatur. Er ist Teil der QFET®-Serie und zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand von 690 mOhm bei 2,65 A und einer Gate-Source-Spannung von 10 V aus.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 200 V
Dauer-Drain-Strom von 5,3 A bei 25 °C Gehäusetemperatur
Geringer On-Widerstand von 690 mOhm bei 2,65 A und 10 V Gate-Source-Spannung
QFET®-Serie
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
Zuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich
TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Das Produkt FQD7N20TF ist veraltet
Kunden wird empfohlen, den Vertriebsteam von Y-IC für gleichwertige oder alternative Modelle zu kontaktieren
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltregler
Wechselrichter
Das aktuelle Datenblatt für den FQD7N20TF ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den FQD7N20TF auf der Y-IC-Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
FQD7N30 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO252
FQD7N20L F
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
FQD7N20 F
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
FQD7N20TFonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|