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| Artikelnummer: | SS8P2CLHM3/86A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TO277A |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 540 mV @ 4 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 20 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-277A (SMPC) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | eSMP® |
| Verpackung / Gehäuse | TO-277, 3-PowerDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 300 µA @ 20 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 4A |
| Grundproduktnummer | SS8P2 |
| SS8P2CLHM3/86A Einzelheiten PDF [English] | SS8P2CLHM3/86A PDF - EN.pdf |




SS8P2CLHM3/86A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Der SS8P2CLHM3/86A ist eine Hochgeschwindigkeits-Schottky-Diode in kompakter Oberflächenmontage im TO-277A (SMPC)-Gehäuse, geeignet für schnelle Gleichrichteranwendungen.
Paarweise Anordnung mit gemeinsamer Kathode
Schottky-Barriere-Gleichrichtertechnologie
Schnelle Erholungszeit ≤ 500 ns (Io > 200 mA)
Hohe Strombelastbarkeit bis zu 4 A pro Diode
Geringer Spannungsabfall
Hohe Effizienz
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Gehäusetyp: TO-277A (SMPC)
Oberflächenmontagegehäuse
Dieses Produkt wurde bei Digi-Key eingestellt.
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Hochfrequenz-Schaltkreise
Netzteile
Spannungskonverter
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DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TO277A
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