Deutsch
| Artikelnummer: | STB47N50DM6AG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $7.9931 |
| 10+ | $7.8284 |
| 30+ | $7.7195 |
| 100+ | $7.6092 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 71mOhm @ 19A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 38A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB47 |
| STB47N50DM6AG Einzelheiten PDF [English] | STB47N50DM6AG PDF - EN.pdf |




STB47N50DM6AG
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von STMicroelectronics, einem führenden Halbleiterhersteller. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB47N50DM6AG ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh™ DM6-Serie, konzipiert für eine breite Palette von Anwendungen in der Stromwandlung und Steuerung.
500V Drain-Source-Spannung
38A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Niediger on-Widerstand von 71mΩ bei 19A, 10V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
AEC-Q101 qualifiziert für Automotive-Anwendungen
Hervorragende Leistungsfähigkeit bei der Energieübertragung
Effiziente Stromwandlung mit niedrigen Verlustraten
Zuverlässiger Betrieb bei Hochspannungs-, Hochstromumgebungen
Eignet sich für Automotiveund Industrieanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse
2 Anschlussleitungen + Tab-Konfiguration
Ideal für Hochleistungsund Hochspannungsanwendungen
Das Produkt STB47N50DM6AG ist aktiv verfügbar
Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Stromversorgungen
Motorantriebe
Inverter
Schaltnetzteile
Automotive Elektronik
Das aktuelle Datenblatt für den STB47N50DM6AG ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den STB47N50DM6AG auf unserer Webseite an. Nutzen Sie unsere zeitlich begrenzte Aktion und erhalten Sie Ihr persönliches Angebot.
ST TO-263
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
STB4NC60T4 ST
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
STM TO-263
STB4NK60Z ST
STB45NF06LT4 ST
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
ST TO-262
ST TO-263
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
STB45NF3LL S
NFET D2PAK SPCL 800V TR
STB4NC60-1 ST
ST TO-263
ST TO-263
STB45NF3LLT4 ST
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/23
2024/08/25
2024/11/5
2024/10/8
STB47N50DM6AGSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|