Deutsch
| Artikelnummer: | IPP110N20N3GXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.1606 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 88A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPP110 |
| IPP110N20N3GXKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPP110N20N3GXKSA1 PDF - EN.pdf |




IPP110N20N3GXKSA1
Infineon Technologies. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Marke Infineon und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der IPP110N20N3GXKSA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Serie von Infineon Technologies. Er ist für eine Vielzahl von Leistungswandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 200 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 88 A bei 25 °C
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) von 11 mΩ
Maximaler Gate-Ladungswert (Qg) von 87 nC
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Hervorragende thermische und elektrische Leistung
Hohe Leistungsdichte
Geeignet für Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Zuverlässiges und robustes Design
Gehärtet in einem Durchsteckgehäuse PG-TO220-3
Kammerverpackung
Abmessungen: Details entnehmen Sie bitte dem Datenblatt
Das IPP110N20N3GXKSA1 ist ein aktives Produkt.
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen.
Leistungselektronik
Motorsteuerung
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das autoritative Datenblatt für den IPP110N20N3GXKSA1 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IPP110N20N3GXKSA1 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
IPP110N06LG INF
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
IPP110N06L G INFINEON
INFINEON TO220
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
IPP111N15N3 G Infineon Technologies
INFINEON TO-220
IPP111N15N3G INFINEON
INFINEON TO-220
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
IPP111N15N INFINEON
IPP110N20N3 G Infineon Technologies
IPP110N20N3G INFINEON
Infineon 2012+RoHS
IPP110N20N INFINEON
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/4
2025/02/23
2024/05/16
2024/06/14
IPP110N20N3GXKSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|