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| Artikelnummer: | DMT5015LFDF-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2164 |
| 10+ | $0.1723 |
| 30+ | $0.1533 |
| 100+ | $0.1297 |
| 500+ | $0.1191 |
| 1000+ | $0.1129 |
| 3000+ | $0.1115 |
| 6000+ | $0.1106 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 820mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 902.7 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.1A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMT5015 |
| DMT5015LFDF-7 Einzelheiten PDF [English] | DMT5015LFDF-7 PDF - EN.pdf |




DMT5015LFDF-7
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Diodenmarkenprodukte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DMT5015LFDF-7 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von diodes mit einer Drain-Source-Spannung von 50 V und einem Dauer-Drain-Strom von 9,1 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 50 V
Dauer-Drain-Strom von 9,1 A bei 25 °C
Geringer On-Widerstand von 15 mΩ bei 8 A, 10 V
Großes Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Effizientes Schalten und Steuerung der Leistung
Zuverlässige Leistung in verschiedenen Anwendungen
Kompakte, platzsparende Oberflächenmontage (SMD) Gehäuse
6-UDFN Gehäuse mit freiliegender Anschlussfläche
Oberflächenmontage-Design
Der DMT5015LFDF-7 ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, unser Verkaufsteam über die Website für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu kontaktieren.
Netzteile
Motorantriebe
Schaltkreise
Verstärker
Industrieanwendungen
Das amtlichste Datenblatt für den DMT5015LFDF-7 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
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CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD
CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD
CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD
CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD
CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
DMT6004SPS DIODES
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
DMT6005LPS DIODES
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
DIODESINC New
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
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