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| Artikelnummer: | DMN67D8LW-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0402 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-323 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 320mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.82 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 240mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN67 |
| DMN67D8LW-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN67D8LW-13 PDF - EN.pdf |




DMN67D8LW-13
Diodes Incorporated
Der DMN67D8LW-13 ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor von Diodes Incorporated. Er ist für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 240mA
Maximale On-Widerstand von 5Ω
Maximale Gate-Schwellen-Spannung von 2,5V
Maximale Gate-Ladung von 0,82nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effiziente Schaltleistung
Hohe Zuverlässigkeit
Kompakte Oberflächenmontage-Verpackung
Tafeln & Reels (TR)
SOT-323 Oberflächenmontageverpackung
Kleines Format für platzsparende Designs
Der DMN67D8LW-13 ist ein aktives Produkt und derzeit verfügbar. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
Allgemeine Schaltund Verstärkungsanwendungen
Strommanagementschaltungen
Akkubetriebene Geräte
Tragbare Elektronik
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DIODES DI3333-8
LSI BGA
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
LSI QFP
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
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