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| Artikelnummer: | DMN65D8LQ-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0483 |
| 100+ | $0.0387 |
| 300+ | $0.0338 |
| 3000+ | $0.0302 |
| 6000+ | $0.0273 |
| 9000+ | $0.0259 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 115mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 370mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 310mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN65 |
| DMN65D8LQ-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN65D8LQ-7 PDF - EN.pdf |




DMN65D8LQ-7
diodes
Der DMN65D8LQ-7 ist ein N-Kanal-MOSFET in einem SOT-23-3 Gehäuse.
N-Kanal-MOSFET
60V Drain-Source-Spannung
310mA Dauer-Drain-Strom
Maximale On-Widerstand von 3Ω
SOT-23-3 Gehäuse
Hohe Effizienz
Niedriger On-Widerstand
Kompakte SOT-23-3 Bauform
Geeignet für Niederleistungs-Schaltanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
SOT-23-3 Gehäuse
Oberflächenmontage (SMT)
Das DMN65D8LQ-7 ist ein aktives Produkt.
Gleichwertige oder alternative Modelle:
- DMN65D8LQ
- DMN65D8DW-7
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Niederleistungs-Schaltanwendungen
Stromversorgungssteuerungen
Logikpegelumwandlungen
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