Deutsch
| Artikelnummer: | DMN65D8LDW-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0354 |
| 100+ | $0.0277 |
| 300+ | $0.0238 |
| 3000+ | $0.0208 |
| 6000+ | $0.0185 |
| 9000+ | $0.0174 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-363 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 115mA, 10V |
| Leistung - max | 300mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87nC @ 10V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180mA |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | DMN65 |
| DMN65D8LDW-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN65D8LDW-7 PDF - EN.pdf |




DMN65D8LDW-7
Diodes Incorporated - Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von Diodes Incorporated und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DMN65D8LDW-7 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 180 mA bei 25°C. Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand von 6Ω und ein Logic-Level-Gate.
Dualer N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 180 mA
On-Widerstand von 6Ω
Logic-Level-Gate
Niedriger On-Widerstand für effizientes Leistungsschalten
Logic-Level-Gate für einfache Schnittstellen mit Steuerkreisen
Duale Konfiguration für platzsparende Designs
Tapes-and-Reel-Verpackung
6-Pin TSSOP (SOT-363) Oberflächenmontagegehäuse
Kompaktes Design für platzsparende Anwendungen
RoHS-konform
Das Produkt ist derzeit aktiv und verfügbar
Entsprechende oder alternative Modelle: DMN65D8LDW-13, DMN65D8LDW-5
Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weiterführende Informationen zu verfügbaren Optionen
Leistungsschaltung
Logiksteuerkreise
Tragbare Elektronik
Industrielle Automatisierung
Das aktuellste Datenblatt für den DMN65D8LDW-7 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden aufgefordert, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den DMN65D8LDW-7 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot!
DMN65D8LDWQ DIODES
MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363
DIODES SOT323
DIODES SOT-23
DIDODES SOT-23
DMN65D8L D
DMN65D8LFB DIODES
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
DIODES SOT323
VBSEMI SOT-23
DMN65D8LQ DIODES
DIODES SOT563
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
DIODES SOT363
DIODES SOT-363
DMN65D8LDW DIODES
MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/03/28
2025/02/3
2025/03/30
2025/02/11
DMN65D8LDW-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|