Deutsch

| Artikelnummer: | DMN63D1LV-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.0833 |
| 50+ | $0.0673 |
| 150+ | $0.0593 |
| 500+ | $0.0534 |
| 3000+ | $0.0486 |
| 6000+ | $0.0462 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Leistung - max | 940mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.392nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 550mA (Ta) |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | DMN63 |
| DMN63D1LV-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN63D1LV-7 PDF - EN.pdf |




DMN63D1LV-7
Diodes Incorporated
Mosfet-Array mit 2 N-Kanal (Dual) Transistoren, 60V Drain-Source-Spannung, 550mA Dauer-Drain-Strom, 940mW Verlustleistung, Oberflächenmontage im SOT-563 Gehäuse.
2 N-Kanal (Dual) Mosfet-Array
60V Drain-Source-Spannung
550mA Dauer-Drain-Strom
940mW Leistungsaufnahme
Oberflächenmontage im SOT-563 Gehäuse
Kompaktes, doppeltes MOSFET-Design
Hohe Strombelastbarkeit
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen elektronischen Anwendungen
Spule & Band (Tape & Reel) Verpackung
Gehäusetypen: SOT-563, SOT-666
Oberflächenmontage
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Das Produkt befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Es sind gleichoder alternativ einsetzbare Modelle verfügbar. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über die Webseite.
Geeignet für diverse elektronische Anwendungen, die eine Dual-MOSFET-Funktionalität erfordern
Das offizielle Datenblatt für das Modell DMN63D1LV-7 ist auf unserer Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, es herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot über unsere Webseite an. Erhalten Sie ein unverbindliches Angebot und erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
DMN63D1LV DIODES
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
DMN63D1LT DIODES
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
DMN63D1LDW-7-F DIODES
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
DMN63D1LDW DIODES
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
DMN63D8LDW DIODES
DIODES SOT-363
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
DMN63D1LW DIODES
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/08/1
2025/01/24
2024/09/10
2025/01/9
DMN63D1LV-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|