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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN3018SSD-13
Diodes Incorporated
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Diodes Incorporated DMN3018SSD-13

Artikelnummer: DMN3018SSD-13
Hersteller / Marke: Diodes Incorporated
Teil der Beschreibung.: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
Datenblätte:
1.DMN3018SSD-13.pdf ···

Datenblätter

DMN3018SSD.pdf

DMN3018SSD-13 Seite PDF

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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Diodes Incorporated DMN3018SSD-13 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated DMN3018SSD-13 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse 8-SO
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 10V
    Leistung - max 1.5W
    Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 697pF @ 15V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
    FET-Merkmal Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A
    Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
    Grundproduktnummer DMN3018
    DMN3018SSD-13 Einzelheiten PDF [English] DMN3018SSD-13 PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
    Wie man kauft
    Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
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    Wenn Sie auf Probleme stoßen, wenden Sie sich gerne an unser Kundendienstteam, um Unterstützung zu erhalten.
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    - Western Union
    - Kreditkarte / Visa / MasterCard / PayPal
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    Die Versandraten werden nach Größe, Gewicht und Ziel des Pakets bestimmt.YIC bietet wettbewerbsfähige Versandoptionen durch führende Fluggesellschaften wie DHL, FedEx und UPS.Darüber hinaus bieten wir Kunden die Möglichkeit, ihre eigenen Versandkonten für eine direkte Abrechnung zu verwenden.

  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

DMN3018SSD-13 Produktdetails

Herstellerteilenummer

DMN3018SSD-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Detaillierte Beschreibung

Der DMN3018SSD-13 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 6,7 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand (Rds(on)) von 22 mΩ bei 10 A und 10 V aus, was ihn ideal für Leistungsmanagement und Schaltanwendungen macht.

Schlüsselmerkmale

Dualer N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung (Vdss) 30 V\nKontinuierlicher Drain-Strom (Id) 6,7 A bei 25 °C\nNiedriger On-Widerstand (Rds(on)) von 22 mΩ bei 10 A und 10 V\nLogic-Level-Gate (Vgs(th) maximal 2,1 V bei 250 μA)

Wichtigste Vorteile

Effizientes Leistungsmanagement und Schaltfunktion\nKompakte Oberflächenmontage-Gehäuse\nBreiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C

Verpackung

Tape & Reel Verpackung\n8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)\nLieferantenbauteilgehäuse: 8-SO

Lebenszyklus

Das DMN3018SSD-13 ist ein aktives Produkt\nEntsprechende oder alternative Modelle:\n DMN3018SSD-7 (geringerer Rds(on))\n DMN3018SSV (anderes Gehäuse)\nFür weitere Unterstützung kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Webseite.

Schlüsselanwendungsbereiche

Leistungsmanagement\nSchaltanwendungen\nAllgemeine MOSFET-Anwendungen

Datenblatt

Das zuverlässigste Datenblatt für den DMN3018SSD-13 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.

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Benutzerbewertung

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

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  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

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    2026/03/23

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