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| Artikelnummer: | DMN1150UFL3-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1371 |
| 200+ | $0.0547 |
| 500+ | $0.0529 |
| 1000+ | $0.052 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | X2-DFN1310-6 (Type B) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V |
| Leistung - max | 390mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | DMN1150 |
| DMN1150UFL3-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN1150UFL3-7 PDF - EN.pdf |




DMN1150UFL3-7
Diodes Incorporated - Y-IC ist ein Qualitätsvertrieb für Produkte von Diodes Incorporated und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DMN1150UFL3-7 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET in einem 8-SOIC-Gehäuse. Er wurde für den Einsatz in Automobil- und anderen Energiemanagementanwendungen entwickelt.
2 N-Kanal-FETs in einem Gehäuse
Standard-FET-Typ
12V Drain-Source-Spannung
2A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 150 mΩ
Maximaler Gate-Threshold von 1V
Maximaler Gate-Ladung von 1,4 nC
Maximaler Eingangskapazität von 115 pF
Kompaktes 8-SOIC-Gehäuse
Automobilstandard AEC-Q101 qualifiziert
Effizientes Energiemanagement
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Gehäuse: 8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
Spulenund Folienverpackung (Tape & Reel)
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Der DMN1150UFL3-7 ist ein aktives Produkt und befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Es sind keine genauen Alternativmodelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
AutomobilElektronik
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Batteriebetriebene Geräte
Industrielle Steuerungssysteme
Das offizielle Datenblatt für den DMN1150UFL3-7 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Webseite Angebote für den DMN1150UFL3-7 anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Angebot.
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN3027-
MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
DIODES 3-DFN1006
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
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DMN13H1750S-7 DIODES
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
DMN10H700S DIODES
MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3118-
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
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