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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN10H099SFG-13
Diodes Incorporated
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13

Artikelnummer: DMN10H099SFG-13
Hersteller / Marke: Diodes Incorporated
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Datenblätte:
1.DMN10H099SFG-13.pdf ···

Datenblätter

DMN10H099SFG.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf

DMN10H099SFG-13 Seite PDF

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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.3A, 10V
    Verlustleistung (max) 980mW (Ta)
    Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1172 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.2 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta)
    Grundproduktnummer DMN10
    DMN10H099SFG-13 Einzelheiten PDF [English] DMN10H099SFG-13 PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
    Wie man kauft
    Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

DMN10H099SFG-13 Produktdetails

Herstellerteilenummer

DMN10H099SFG-13

Hersteller

Diodes Incorporated – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von Diodes Incorporated und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der DMN10H099SFG-13 ist ein N-Kanal MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem Dauer-Drain-Strom von 4,2 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand von 80 mΩ bei 3,3 A und 10 V aus. Dieses Bauteil eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement und Schalttechnik.

Schlüsselmerkmale

N-Kanal MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V

Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25 °C: 4,2 A

Niedriger On-Widerstand (Rds(on)): 80 mΩ bei 3,3 A, 10 V

Gate-Ladung (Qg) (max.) bei Vgs: 25,2 nC bei 10 V

Weites Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C

Wichtigste Vorteile

Hohe Effizienz durch niedrigen On-Widerstand

Vielseitig einsetzbar in der Leistungssteuerung und Schalttechnik

Zuverlässige Performance über einen weiten Temperaturbereich

Verpackung

Tape & Reel (TR) Verpackung

8-PowerVDFN-Gehäuse

Oberflächenmontage (SMT) Technologie

Lebenszyklus

Das DMN10H099SFG-13 ist ein aktives Produkt.

Es sind äquivalente oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.

Schlüsselanwendungsbereiche

Leistungsmanagement

Schaltanwendungen

Motorsteuerung

Automobiltechnik

Datenblatt

Das autoritativste Datenblatt für den DMN10H099SFG-13 steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.

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Benutzerbewertung

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    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

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    2026/03/23

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    2026/03/20

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