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| Artikelnummer: | DMN100-7-F |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2207 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-59-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.1A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN100 |
| DMN100-7-F Einzelheiten PDF [English] | DMN100-7-F PDF - EN.pdf |




DMN100-7-F
Diodes Incorporated (Y-IC ist ein Qualitätsvertrieb der Marke Diodes Incorporated und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen)
Der DMN100-7-F ist ein N-Kanal-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V und einem kontinuierlichen Drainstrom (Id) von 1,1 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
30 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
1,1 A Dauer-Drainstrom (Id) bei 25 °C
Geringer On-Widerstand (Rds(on))
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Effizientes Energiemanagement
Zuverlässige und robuste Leistung
Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet
Oberflächenmontagegehäuse: SC-59-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Gehäuse / Case
Dieses Produkt ist veraltet.
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