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| Artikelnummer: | 2DA2018-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PNP 12V 0.5A SOT523 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-523 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 150 mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-523 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 260MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 270 @ 10mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500 mA |
| Grundproduktnummer | 2DA2018 |
| 2DA2018-7 Einzelheiten PDF [English] | 2DA2018-7 PDF - EN.pdf |




2DA2018-7
Diodes
Der 2DA2018-7 ist ein PNP-Bipolartransistor (BJT) in einem SOT-523 Oberflächenmontage-Gehäuse. Er ist für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.
PNP-Bipolartransistor (BJT)
Oberflächenmontagegehäuse SOT-523
Hohe Strombelastbarkeit bis zu 500 mA
Hohe Durchbruchspannung bis zu 12 V
Geringe Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Hohe Stromtragfähigkeit
Eignet sich für eine Vielzahl von Verstärkerund Schaltanwendungen
Spule & Band (Tape & Reel, TR)
Oberflächenmontagegehäuse SOT-523
Elektrische Eigenschaften: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (BVCEO) bis zu 12 V, Kollektorstrom (IC) bis zu 500 mA
Der 2DA2018-7 ist ein veraltetes Produkt. Es könnten gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
Allgemeine Verstärkerschaltungen
Schaltanwendungen
Niederspannungs-Elektronikgeräte
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