Deutsch
| Artikelnummer: | MRFE6VP61K25H |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Freescal |
| Teil der Beschreibung.: | MRFE6VP61K25H FSL |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $251.753 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | SMD |
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| MRFE6VP61K25H Einzelheiten PDF [English] | MRFE6VP61K25H PDF - EN.pdf |




MRFE6VP61K25H
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der FSL-Marke, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der MRFE6VP61K25H ist ein Hochleistungs-RF-LDMOS-Transistor, der für den Einsatz in Mobilfunk-Basisstationen und anderen Hochleistungs-RF-Anwendungen entwickelt wurde.
– Hohe Leistungsabgabe bis zu 125 W
– Breitbandleistung von 1,8 bis 2,2 GHz
– Hohe Effizienz
– Robuste und zuverlässige Konstruktion
– Hervorragende Leistungsfähigkeit
– Effizienter und stabiler Betrieb
– Robuste und langlebige Bauweise
– Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungs-RF-Anwendungen
Gehäusetyp: SMD
Gehäusematerial: Keramik
Gehäusegröße: [Bitte spezifische Maße angeben]
Pin-Konfiguration: [Pin-Anzahl und Layout angeben]
Thermische Eigenschaften: [Relevante thermische Daten angeben]
Elektrische Eigenschaften: [Relevante elektrische Spezifikationen angeben]
Der MRFE6VP61K25H ist ein aktives Produkt, das nicht bald auslaufen wird.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar, z.B. [Relevante Modelle auflisten]. Wenn Sie weitere Unterstützung benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Mobilfunk-Basisstationen
Hochleistungs-RF-Anwendungen
Breitband-Wireless-Infrastruktur
Das autoritativste Datenblatt für den MRFE6VP61K25H ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um das beste Angebot für den MRFE6VP61K25H zu erhalten.
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
RF MOSFET LDMOS DUAL 50V TO-270
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
FET RF 50V 600MHZ NI780-4
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
HIGH RUGGEDNESS N-CHANNEL ENHANC
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
MRFE6VP5600HR FSL
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
RF MOSFET LDMOS DUAL 50V TO-270
RF MOSFET LDMOS DL 50V OM1230-4L
TRANS RF LDMOS 1250W 50V
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel
2024/12/4
2025/02/23
2024/05/16
2024/06/14
MRFE6VP61K25HFreescal |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|