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| Artikelnummer: | IRF7759L2TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IRF7759 - 12V-300V N-CHANNEL POW |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $64.064 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DirectFET™ Isometric L8 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 96A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric L8 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12222 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 26A (Ta), 375A (Tc) |
| IRF7759L2TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF7759L2TRPBF PDF - EN.pdf |




IRF7759L2TRPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon Technologies, einem führenden Hersteller von Leistungshalbleitern. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der IRF7759L2TRPBF ist ein N-Kanal-MOSFET in der HEXFET®-Serie von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn ideal für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement macht.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 75V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 26A (bei Raumtemperatur), 375A (bei Kühlung)
Maximaler On-Widerstand von 2,3mΩ bei 96A, 10V
Maximaler Gate-Charge von 300nC bei 10V
DirectFET™ isometrisches Oberflächenmontagegehäuse vom Typ L8
Hohe Stromdichte
Geringer On-Widerstand für bessere Effizienz
Kompaktes DirectFET™-Gehäuse für platzsparende Designs
Der IRF7759L2TRPBF ist in einem DirectFET™ Isometrischen L8-Gehäuse für Oberflächenmontage verpackt. Dieses Gehäuse bietet exzellente thermische und elektrische Leistungsfähigkeit bei kleiner Bauform.
Der IRF7759L2TRPBF ist ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch vergleichbare oder alternative Modelle von Infineon Technologies erhältlich. Kunden wird empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über die Webseite zu wenden.
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Das aktuellste und autoritativste Datenblatt zum IRF7759L2TRPBF finden Sie auf der Website von Y-IC. Es wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf der Website von Y-IC einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die besten Konditionen für den IRF7759L2TRPBF und andere Produkte von Infineon Technologies zu erhalten.
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