Deutsch
| Artikelnummer: | IRF7401PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | HEXFET POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1644 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.7A (Ta) |
| IRF7401PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF7401PBF PDF - EN.pdf |




IRF7401PBF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Infineon Technologies. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der IRF7401PBF ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem Oberflächenmontage-Gehäuse vom Typ SOIC-8. Er gehört zur HEXFET®-Serie von Infineon und zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand, hohe Stromspezifikation und schnelle Schaltzeiten aus.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Teil der HEXFET®-Serie
Geringer On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ausgezeichnete Leistung bei Leistungsschaltungen
Zuverlässige und effiziente Stromumwandlung
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse
SOIC-8 Gehäuserolle für Oberflächenmontage
8-polige Konfiguration
Typische thermische und elektrische Eigenschaften des SOIC-8-Gehäuses
Dieses Produkt wurde von Digi-Key eingestellt
Alternativoder Ersatzmodelle verfügbar:
- IRF7403PBF
- IRF7404PBF
Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen zu Alternativen
Leistungsschaltungen
Energieumwandlung
Motorsteuerung
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das aktuellste Datenblatt für den IRF7401PBF ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRF7401PBF und andere Produkte von Infineon auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren limitierten Sonderangeboten zu profitieren.
VBSEMI SOIC8
IR SOP-8
SOP8
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
IR SOP8
IR SOP8
IRF7401TR IR
IRF7402TRPBF SOP8 IR
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
IR DIP
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
IRF7402 IR
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF7401 IR
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/06/18
2025/01/25
2025/02/28
2024/10/30
IRF7401PBFInternational Rectifier |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|