Deutsch
| Artikelnummer: | BSC080N03MSGATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.9016 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-5 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
| Grundproduktnummer | BSC080 |
| BSC080N03MSGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC080N03MSGATMA1 PDF - EN.pdf |




BSC080N03MSGATMA1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der BSC080N03MSGATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Serie von Infineon Technologies. Er ist für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
OptiMOS™-Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 13A (Ta), 53A (Tc)
Niedrige On-Widerstand (Rds(on)): 8mΩ bei 30A, 10V
Niedrige Gate-Ladung (Qg): 27nC bei 10V
Hervorragende Energieeffizienz
Hohe Stromtragsfähigkeit
Kompaktes und zuverlässiges Design
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen
Tape and Reel (TR) Verpackung
8-PowerTDFN-Gehäuse
Oberflächenmontagekomponente
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen.
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Energiemanagement
Schaltanwendungen
Motorsteuerung
Automobiltechnik
Das umfassendste Datenblatt für den BSC080N03MSGATMA1 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den BSC080N03MSGATMA1 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
BSC080N03LS G INFINEO
BSC080N03MS G INFINEO
INFINEON DFN-856
BSC080N03LSG INFINEO
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
INFINEON TISON8
BSC080P03LS G Infineon Technologies
INFINEON DFN-85X6
BSC080P03NS3G INFINEON
BSC080N03NS3G INFINEON
BSC080P03LSG INFINEON
BSC080N03MS Original
BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
BSC080N03S G INFINEON
BSC080N03LS INFINEO
MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/13
2024/11/5
2024/12/17
2025/01/23
BSC080N03MSGATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|