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| Artikelnummer: | NVMS5P02R2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9373 |
| 10+ | $0.7828 |
| 30+ | $0.6984 |
| 100+ | $0.6025 |
| 500+ | $0.5595 |
| 1000+ | $0.5395 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 16 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.95A (Ta) |
| Grundproduktnummer | NVMS5P02 |
| NVMS5P02R2G Einzelheiten PDF [English] | NVMS5P02R2G PDF - EN.pdf |




NVMS5P02R2G
Y-IC ist ein renommierter Distributor für Produkte der Marken AMI Semiconductor / ON Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der NVMS5P02R2G ist ein P-Kanal Enhancement-Mode-MOSFET, geeignet für Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungs-Schaltanwendungen mit hoher Effizienz.
- P-Kanal MOSFET
- 20V Drain-Source-Spannung
- 3,95A Dauer-Drain-Strom
- 33mΩ On-Widerstand
- 1,25V Gate-Schwellen-Spannung
- 35nC Gate-Ladung
- 1900pF Eingangskapazität
- Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
- Hohe Effizienz bei Schaltvorgängen
- Geringer On-Widerstand für niedrigen Leistungsverlust
- Geeignet für Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungsanwendungen
- Großes Betriebs temperaturfenster
- 8-SOIC Gehäuse (0,154" / 3,90mm Breite)
- Tape & Reel (TR) Verpackung
Das NVMS5P02R2G ist ein aktiviertes Produkt. Es sind gleichwertige Modelle erhältlich, wie z.B. NVMS5P02R2, NVMS5P02R2S und NVMS5P02R2ST. Kunden wird empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über unsere Website zu wenden.
- Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungs-Schaltanwendungen
- Strommanagementschaltungen
- Motorsteuerung
- Audiogeräte
- Beleuchtungsanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den NVMS5P02R2G ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den NVMS5P02R2G auf unserer Website an. Nutzen Sie unsere begrenzte Sonderaktion und sichern Sie sich ein unverbindliches Angebot.
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
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MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
AFSM T6 40V LL NCH
AFSM T6 60V LL NCH
MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
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