onsemi NTTS2P03R2

Herstellerteilenummer

NTTS2P03R2

Hersteller

onsemi

Detaillierte Beschreibung

Der NTTS2P03R2 ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 2,1 A bei 25 °C. Er eignet sich hervorragend für eine Vielzahl von Anwendungsbereichen durch seine zuverlässigen Leistungsmerkmale und robuste Bauweise.

Schlüsselmerkmale

P-Kanal-MOSFET

Technologietyp: Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V

Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 2,1 A bei 25 °C

Ansteuerungsspannung (max. Rds On, min. Rds On): 4,5 V, 10 V

Maximaler Rds On-Wert: 85 mΩ bei 2,48 A, 10 V

Vgs (Schwellenspannung) max.: 3 V bei 250 µA

Gate-Ladung (Qg) max.: 22 nC bei 4,5 V

Max. Vgs: ±20 V

Eingangskapazität (Ciss) max.: 500 pF bei 24 V

Leistungsaufnahme max.: 600 mW bei Betriebstemperatur

Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)

Montagetyp: Oberflächenmontage

Gehäuse: 8-TSSOP, 8-MSOP (Breite: 0,118" / 3,00 mm)

Wichtigste Vorteile

Herausragende Leistungsmerkmale für vielfältige Anwendungen, hohe Strombelastbarkeit, zuverlässig und langlebig

Verpackung

Der NTTS2P03R2 wird in einem 8-TSSOP- bzw. 8-MSOP-Gehäuse für Oberflächenmontage geliefert.

Lebenszyklus

Das Produkt NTTS2P03R2 gilt als veraltet. Kunden werden empfohlen, sich auf unserer Webseite an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Energieverwaltung

Schaltkreise

Motorsteuerung

Industrieund Unterhaltungselektronik

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den NTTS2P03R2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden sollten es herunterladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.

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