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| Artikelnummer: | NTMS7N03R2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3504 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 800mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| Grundproduktnummer | NTMS7 |
| NTMS7N03R2G Einzelheiten PDF [English] | NTMS7N03R2G PDF - EN.pdf |




NTMS7N03R2G
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der NTMS7N03R2G ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 4,8 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand von 23 mΩ und eine geringe Gate-Ladung von 43 nC bei 10 V aus, wodurch er sich für eine Vielzahl von Strommanagement- und Schaltanwendungen eignet.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 4,8 A
On-Widerstand von 23 mΩ
Gate-Ladung von 43 nC bei 10 V
Effizientes Schalten von Strom
Geringer Energieverbrauch
Zuverlässige und langlebige Leistung
Der NTMS7N03R2G ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) als Oberflächenmontagebauteil verpackt.
Der NTMS7N03R2G ist ein aktives Produkt. Derzeit sind keine gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Strommanagement
Schaltanwendungen
Industrieausrüstung
Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den NTMS7N03R2G finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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NTMS7N03R2R2G ON
ON SOP8
ON SOP8
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
NTMS7N03R2G. ON
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
ON SOP-8
NTMS7N03R2G SOP8 ON
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NTMS5P02R2G SOP8 ON
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MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
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