Deutsch
| Artikelnummer: | NTMD2C02R2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 4A, 4.5V |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.2A, 3.4A |
| Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | NTMD2C |
| NTMD2C02R2 Einzelheiten PDF [English] | NTMD2C02R2 PDF - EN.pdf |




NTMD2C02R2
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der NTMD2C02R2 ist ein duales N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Array in einem 8-SOIC-Gehäuse. Er verfügt über eine Logik-Ebene-Gate-Ansteuerung, einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Strombelastbarkeit.
Duales N-Kanalund P-Kanal-MOSFET-Array
Gate-Ansteuerung auf Logik-Ebene
Niedriger On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit
Kompaktes 8-SOIC-Gehäuse
Erhöhte Leistungsdichte
Verbesserte Effizienz
Zuverlässige Performance
Gehäuse: 8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
Verpackung: Spule & Rolle (Tape & Reel)
Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)
Leistungsaufnahme: 2W
FET-Typ: Nund P-Kanal
FET-Feature: Gate auf Logik-Ebene
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25°C: 5,2A, 3,4A
Rds On (max.) bei Id, Vgs: 43 mOhm bei 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id: 1,2V bei 250A
Gate-Ladung (Qg) (max.) bei Vgs: 20nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds: 1100pF bei 10V
Der NTMD2C02R2 ist ein aktives Produkt. Momentan sind keine gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar. Bei Fragen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Stromversorgungssteuerungen
Motorsteuerung
Schaltregler
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offiziellste Datenblatt für den NTMD2C02R2 finden Sie auf der Y-IC-Website. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Preisangebote für den NTMD2C02R2 auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
NTMD3903R2G ON
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
NTMC083NP10M5L
NTMD3N08LR2G O
VBSEMI SOIC-8
VBSEMI SOP-8
VBSEMI SO-8
NTMD3N03 MOT
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/13
2024/11/5
2024/12/17
2025/01/23
NTMD2C02R2onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|