Deutsch
| Artikelnummer: | NTLJS2103PTAG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-WDFN (2x2) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 700mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-WDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1157 pF @ 6 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Grundproduktnummer | NTLJS21 |
| NTLJS2103PTAG Einzelheiten PDF [English] | NTLJS2103PTAG PDF - EN.pdf |




NTLJS2103PTAG
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der NTLJS2103PTAG ist ein P-Kanal-MOSFET von onsemi mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 12 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 3,5 A bei 25 °C.
– P-Kanal-MOSFET
– Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET)
– 12 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
– 3,5 A Dauer-Drainstrom (Id) bei 25 °C
– Geringer Rds(on) von 40 mΩ bei 3 A und 4,5 V
– Gate-Ladung (Qg) von 15 nC bei 4,5 V
– Effiziente Leistungsumschaltung und Steuerung
– Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Stromversorgungsanwendungen
– Zuverlässige und robuste Leistung
– 6-WDFN-Gehäuse (2 x 2) Oberflächenmontage
– Exposed Pad für verbesserte thermische Leistung
– geeignet für automatische Bestückung
Dieses Produkt ist veraltet. Entsprechende oder alternative Modelle sind erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
– Stromversorgung
– Motorsteuerung
– Schaltkreise
– Allgemeine Stromversorgung
Das autoritativste Datenblatt für den NTLJS2103PTAG ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Vorteil zu profitieren.
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
RICHTEK QFN
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
ON DFN2*2
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
NTLJF4156NT ON
NTLJS2103P ON
NTLJS3113P ON
MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
NTLJS2103PTAGonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|