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| Artikelnummer: | NTJD4105CT2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.1154 |
| 50+ | $0.1129 |
| 150+ | $0.1113 |
| 500+ | $0.1096 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375mOhm @ 630mA, 4.5V |
| Leistung - max | 270mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V, 8V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 630mA, 775mA |
| Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | NTJD4105 |
| NTJD4105CT2G Einzelheiten PDF [English] | NTJD4105CT2G PDF - EN.pdf |




NTJD4105CT2G
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden hochwertige Produkte und exzellenten Service.
Das NTJD4105CT2G ist ein duales MOSFET-Array mit N-Kanal und P-Kanal in einem SC-88-Gehäuse. Es eignet sich für verschiedene Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung und Schalttechnik.
Duales MOSFET-Array mit N-Kanal und P-Kanal
Logikpegel-Gate
Maximale Drain-Source-Spannung von 20 V und 8 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 630 mA bzw. 775 mA
Maximale On-Widerstand von 375 mOhm bei 4,5 V Gate-Spannung
Maximaler Gate-Schwellenwert von 1,5 V
Maximaler Gate-Ladungswert von 3 nC
Maximale Eingangs-Kapazität von 46 pF
Maximale Leistungsaufnahme von 270 mW
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Kompaktes SC-88-SMD-Gehäuse
Vereinfachte Schaltungsdesigns
Verbesserte Energieeffizienz
Zuverlässige Leistung in einem weiten Temperaturspektrum
Spuleund Bahnverpackung (Tape and Reel, TR)
Gehäuse SC-88, SOT-363
6-poliges SMD-Gehäuse
Geeignet für Reflow-Löten
Dieses Produkt ist aktuell aktiv und in Produktion.
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
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Das offizielle Datenblatt für das NTJD4105CT2G ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen und Leistungsdaten zu erhalten.
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MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
ON SOT363
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
ON SOT-363
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
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MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
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NTJD4105CT2Gonsemi |
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Zielpreis (USD)
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