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| Artikelnummer: | NTGD3149CT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0802 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Leistung - max | 900mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 387pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A, 2.4A |
| Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | NTGD31 |
| NTGD3149CT1G Einzelheiten PDF [English] | NTGD3149CT1G PDF - EN.pdf |




NTGD3149CT1G
Y-IC ist ein Qualitätsvertreiber von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Das NTGD3149CT1G ist ein Dual-Array aus N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs in einem kleinen SOT-23-6-Gehäuse. Es zeichnet sich durch Logikpegel-Gates, geringe Durchlasswiderstände und geringe Gate-Ladung aus.
Dual-Array aus N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs
Gate Drive auf Logikpegel
Geringer On-Widerstand
Geringe Gate-Ladung
Kompakte Bauform im SOT-23-6-Gehäuse
Ideal für platzkritische Anwendungen
Effiziente Leistungsumschaltung
Gehäusetyp: SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6
6-poliges Oberflächenmontage-Gehäuse
Kompakte Abmessungen
Dieses Produkt ist veraltet.
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