Deutsch
| Artikelnummer: | NTD110N02RT4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3440 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 24 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTD110 |
| NTD110N02RT4 Einzelheiten PDF [English] | NTD110N02RT4 PDF - EN.pdf |




NTD110N02RT4
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von AMI Semiconductor / ON Semiconductor, einem führenden Hersteller von Halbleiterbauelementen. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTD110N02RT4 ist ein N-Kanal-Leistungssleistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse, entwickelt für Hochleistungs-Switch-Mode-Netzteile und Motorantrieb-Anwendungen.
– N-Kanal-Leistungssleistungs-MOSFET
– DPAK-Gehäuse
– 24 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
– 12,5 A Dauer-Strom bei 25°C (Id)
– Niediger On-Widerstand für hohe Effizienz
– Eignet sich für Hochleistungsanwendungen
– Zuverlässige und robuste Leistung
– Verpackung: Tape & Reel (TR)
– Gehäuse: TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63
– Leistungsaufnahme (Max.): 1,5 W (Ta), 110 W (Tc)
– Thermische Eigenschaften: Eignet sich für Hochleistungsanwendungen
– Das Produkt NTD110N02RT4 ist aktiv und befindet sich nicht in der Auslaufphase.
– Entsprechende oder alternative Modelle: Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Website für weitere Informationen.
– Schaltende Netzteile
– Motorantriebe
– Elektronik mit Hochleistungskomponenten
Das umfassendste Datenblatt für den NTD110N02RT4 steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NTD110N02RT4 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Sonderangeboten zu profitieren.
ON TO-252
ON 251
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
NTD110N02R-1 ON
ON TO-251
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
ON TO-252
ON TO-251
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
ON TO-252
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
VBSEMI DPAK
ON TO-252
ON TO-251
ON TO-252
NTD12N10-001 VB
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
NTD110N02RT4onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|