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| Artikelnummer: | MMBV809LT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE TUNING SS 20V SOT23 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Spitzensperr- (max) | 20 V |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | - |
| Q @ Vr, F | 75 @ 3V, 500MHz |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Diodentyp | Single |
| Kapazitätsverhältnis Zustand | C2/C8 |
| Kapazitätsverhältnis | 2.6 |
| Kapazität @ Vr, F | 6.1pF @ 2V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | MMBV809 |
| MMBV809LT1G Einzelheiten PDF [English] | MMBV809LT1G PDF - EN.pdf |




MMBV809LT1G
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MMBV809LT1G ist eine varaktore Kapazitanzdiode (Varaktor) von onsemi. Es handelt sich um eine einzelne Diode in einem SMD-Gehäuse vom Typ SOT-23-3.
Kapazität: 6,1 pF bei 2V, 1 MHz
Kapazitanzverhältnis: 2,6 (C2/C8)
Gegenseitige Sperrspannung: 20 V
Betriebstemperatur: bis zu 125 °C
Geeignet für Hochfrequenz-Tuning- und Schaltanwendungen
Kompaktes SMD-Gehäuse
Der MMBV809LT1G wird in einem TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMD-Gehäuse verpackt.
Das Produkt MMBV809LT1G ist veraltet. Kunden sollten unser Verkaufsteam über die Webseite kontaktieren, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Hochfrequenz-Tonkreise
RF-Schaltungen
Spannungsgesteuerte Oszillatoren (VCOs)
Das offiziellste Datenblatt für den MMBV809LT1G steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen, es herunterzuladen.
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