Deutsch
| Artikelnummer: | MBR30H150CTG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.11 V @ 15 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 150 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -20°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 60 µA @ 150 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 15A |
| Grundproduktnummer | MBR30H150 |
| MBR30H150CTG Einzelheiten PDF [English] | MBR30H150CTG PDF - EN.pdf |




MBR30H150CTG
Y-IC ist ein hochwertiger Anbieter von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MBR30H150CTG ist eine schnelle Erholungs-, Hochstrom-Schottky-Barriere-Diode in einer gemeinsamen Kathoden-Konfiguration. Er ist für den Einsatz in Netzteilen, Leistungsumwandlung und anderen Hochfrequenz-Schaltanwendungen konzipiert.
Schottky-Barriere-Technologie
Schnelle Erholungszeit ≤ 500 ns
Hohe Strombelastbarkeit bis zu 15 A pro Diode
Geringe Vorwärtsspannung
Gemeinsame Kathoden-Konfiguration
Durchkontaktierte Montage (Through-Hole)
Effiziente Stromumwandlung mit geringen Leitungsverlusten
Geeignet für Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Kompaktes und platzsparendes Design
Zuverlässige und langlebige Leistung
Der MBR30H150CTG ist in einem TO-220-3 Durchkontaktgehäuse verpackt. Er besitzt eine Standard-Pin-Konfiguration sowie geeignete thermische und elektrische Eigenschaften für die vorgesehenen Anwendungen.
Der MBR30H150CTG ist ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle von onsemi verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Website für weitere Informationen zu passenden Ersatzmodellen.
Netzteile
Leistungsumwandlungsschaltungen
Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Industrieund Automobiltechnik
Das offizielle Datenblatt für den MBR30H150CTG ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um die vollständigen technischen Spezifikationen und Leistungsdetails zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere weiteren Angebote.
MBR30H100T-E3/45 VISHAY
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER RE
MBR30H150CT Original
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3P
ON TO-262
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3P
MBR30H100PT VISHAY
MBR30H150FCT PANJIT
ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER RE
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3P
DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
DIODE SCHOTTKY
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3P
ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER RE
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/01/23
2025/02/17
2025/01/24
2025/01/27
MBR30H150CTGonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|