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| Artikelnummer: | FQD3P50TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.8586 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.05A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.1A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQD3P50 |
| FQD3P50TM Einzelheiten PDF [English] | FQD3P50TM PDF - EN.pdf |




FQD3P50TM
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der FQD3P50TM ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 500V und einem Dauer-Drainstrom (Id) von 2,1A bei 25°C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Rds(on)-Widerstand und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung und Steuerung geeignet macht.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 500V
Kontinuierlicher Drainstrom (Id) von 2,1A bei 25°C
Geringer Rds(on)-Widerstand
Schnelle Schaltfähigkeit
Ideal für Energieumwandlungsund Steuerungsanwendungen
Zuverlässige und langlebige Leistung
Effizientes Energiemanagement
Der FQD3P50TM ist in einem TO-252AA (DPAK)-Oberflächenmontagegehäuse verpackt, mit 2 Anschlüssen und einer Kühlfahne. Die maximale Leistungsaufnahme liegt bei 2,5W bei Ta und 50W bei Tc. Er arbeitet im Temperaturbereich von -55°C bis 150°C (TJ).
Der FQD3P50TM ist ein aktiviertes Produkt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Website für weitere Informationen.
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Das offizielle Datenblatt für den FQD3P50TM ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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FQD3P50TMonsemi |
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