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| Artikelnummer: | FDS5170N7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO FLMP |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2889 pF @ 30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.6A (Ta) |
| Grundproduktnummer | FDS51 |
| FDS5170N7 Einzelheiten PDF [English] | FDS5170N7 PDF - EN.pdf |




FDS5170N7
onsemi – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Markenprodukten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDS5170N7 ist ein N-Kanal PowerTrench® MOSFET von onsemi. Er zeichnet sich durch eine niedrige On-Widerstandsfähigkeit und eine hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energiemanagement und Steuerung geeignet macht.
N-Kanal MOSFET
PowerTrench® Technologie
Geringer On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit
Verbesserte Energieeffizienz
Reduzierte Leistungsaufnahme
Kompaktes Design und Oberflächenmontage-Gehäuse
8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) mit exzentrischer Anschlussfläche
Oberflächenmontage-Design
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Das Produkt FDS5170N7 ist veraltet.
Kunden werden gebeten, unseren Vertrieb über die Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
Energiemanagement
Motorsteuerung
Lichtsteuerung
Batterieladung
Automatisierungstechnik
Das autoritativste Datenblatt für den FDS5170N7 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den FDS5170N7 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDS5170N7-NL FAIRCHI
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
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