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| Artikelnummer: | FDP4D5N10C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.7584 |
| 200+ | $2.6154 |
| 500+ | $2.5247 |
| 800+ | $2.478 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 310µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.4W (Ta), 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5065 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 128A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDP4D5 |
| FDP4D5N10C Einzelheiten PDF [English] | FDP4D5N10C PDF - EN.pdf |




FDP4D5N10C
Y-IC ist ein qualitätsbewusster Distributor von onsemi Markenprodukten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDP4D5N10C ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistung-MOSFET aus der PowerTrench®-Serie von onsemi. Er ist für eine Vielzahl von Schalt- und Steuerungsanwendungen im Leistungsbereich konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
PowerTrench®-Technologie
100 V Drain-Source-Spannung
128 A Dauer-Strombelastbarkeit bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 4,5 mΩ
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hervorragende thermische Performance
Hohe Leistungsdichte
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für Hochstromund Hochspannungsanwendungen
Verpackt in ein TO-220-3 Durchsteckgehäuse
Kompakte Bauform für effiziente Platzausnutzung
Zuverlässige thermische und elektrische Eigenschaften
Das FDP4D5N10C ist ein aktives und verfügbares Produkt
Es gibt gleichwertige und alternative MOSFET-Modelle; bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Industrie-Steuerungen
Beleuchtungssysteme
Automobil-Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den FDP4D5N10C ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
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