Deutsch
| Artikelnummer: | FDMS86322 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0811 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.65mOhm @ 13A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 60A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDMS86 |
| FDMS86322 Einzelheiten PDF [English] | FDMS86322 PDF - EN.pdf |




FDMS86322
onsemi – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDMS86322 ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET der PowerTrench®-Serie, entwickelt für hochleistungsfähige Leistungsmanagement-Anwendungen.
– N-Kanal-MOSFET
– PowerTrench®-Technologie
– 80V Drain-Source-Spannung
– 13A Dauer-Drain-Strom bei 25°C (Ta), 60A bei 100°C (Tc)
– Geringer On-Widerstand von 7,65mΩ bei 10V Gate-Spannung
– Schnelles Schalten mit niedriger Gate-Ladung von 55nC bei 10V
– Robuste und zuverlässige Leistung
– Hoch effiziente Stromumwandlung
– Kompakte Oberflächenmontage-Gehäuse
– Geeignet für vielfältige Anwendungen im Leistungsmanagement
– Tape & Reel (TR) Verpackung
– 8-PQFN (5x6) Oberflächenmontage-Gehäuse
– Abmessungen: 5mm x 6mm
– Das FDMS86322 ist ein aktives Produkt
– Entsprechende oder alternative Modelle sind erhältlich, bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für Details
– Server und Rechenzentren
– Telekommunikations- und Netzwerkausrüstung
– Industrielle und Haushaltsgeräte
– Automobilelektronik
Das aktuellste Datenblatt für den FDMS86322 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem begrenzten Aktionsangebot für diesen hochleistungsfähigen Power-MOSFET zu profitieren.
FAIRCHILD Power56
FDMS86257 FAIRCHILD
FAIRCHILD MLP5X6
ON 8-PQFN
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
FAIRCHILD PQFN-8L
MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
FET 80V 7.5MOHM PQFN8
FDMS86368_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/08/22
2025/02/23
2025/03/6
2024/11/13
FDMS86322onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|