Deutsch
| Artikelnummer: | FDMC2523P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $13.4703 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 42W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDMC2523 |
| FDMC2523P Einzelheiten PDF [English] | FDMC2523P PDF - EN.pdf |




FDMC2523P
Y-IC ist ein Qualitätshändler für Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDMC2523P ist ein P-Kanal-MOSFET aus der QFET®-Serie von onsemi. Es handelt sich um ein Oberflächenmontagebauteil, das hohe Spannungs- und Stromschaltfähigkeiten bietet.
P-Kanal-MOSFET
150V Drain-Source-Spannung
3A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 1,5Ω
Maximale Gate-Ladung von 9nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Schaltvorgänge
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für verschiedenste Anwendungen im Energiemanagement
Der FDMC2523P wird in einem 8-PowerWDFN-Gehäuse (3,3x3,3 mm) für die Oberflächenmontage geliefert.
Der FDMC2523P ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie beispielsweise der FDMC2520P und FDMC2522P. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Energiemanagement
Motorsteuerung
Schaltnetzteile
Telekommunikationsgeräte
Industrielle Automatisierung
Das autoritativste Datenblatt für den FDMC2523P ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebotsanfragen für den FDMC2523P auf der Y-IC-Website zu stellen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
PT8 NCH 30V/20V S ML
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
FAIRCHILD QFN
MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FAIRCHILD MLP-8
ON/FAIRCH PQFN3X3
N-CHANNEL ULTRAFET TRENCH MOSFET
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
FDMC2523Ponsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|