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| Artikelnummer: | FDD8870 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.3958 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 35A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 160W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5160 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Ta), 160A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDD887 |
| FDD8870 Einzelheiten PDF [English] | FDD8870 PDF - EN.pdf |




FDD8870
onsemi
Hochleistungs-Power-MOSFET mit geringem On-Widerstand und hoher Strombelastbarkeit
N-Kanal MOSFET
PowerTrench® Technologie
30V Drain-Source-Spannung
Bis zu 21A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 3,9mΩ bei 35A, 10V
Hohe Gate-Ladung von 118nC bei 10V
Effiziente Energieumwandlung und Schaltleistung
Ideal für Hochstrom-Stromversorgung und Motorkontrollanwendungen
Cut Tape (CT) Verpackung
TO-252-3, DPAK (2 Leitungen + Kühler), SC-63 Gehäuse
Dieses Produkt ist veraltet
Gleichwertige oder alternative Modelle sind möglicherweise verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Stromversorgungen
Motorkontrolle
Wechselrichter
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FDD8874-NL FAIRCHILD
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
FDD8870_F085 Fairchild/ON Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
FAIRCHILD TO-252(DPAK)
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDD8870 - N-CHANNEL POWERTRENCH
FDD8874L FAIRCHILD
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FDD8870onsemi |
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