Deutsch
| Artikelnummer: | FDD2670 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.0765 |
| 200+ | $0.8036 |
| 500+ | $0.776 |
| 1000+ | $0.7615 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.2W (Ta), 70W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1228 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Grundproduktnummer | FDD267 |
| FDD2670 Einzelheiten PDF [English] | FDD2670 PDF - EN.pdf |




FDD2670
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marken AMI Semiconductor / ON Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
N-Kanal 200V 3,6A (Ta) 3,2W (Ta), 70W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
N-Kanal MOSFET
200V Drain-Source-Spannung
3,6A Dauerbelastungsstrom
3,2W Leistungsaufnahme (Ta), 70W (Tc)
Oberflächenmontagegehäuse TO-252
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Niediger On-Widerstand für effizienten Leistungsschaltbetrieb
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontagetechnologie
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Gate-Ansteuerspannung von 10V
Dieses Produkt befindet sich nicht in der Phase des Produktionsrückgangs
Verfügbare Alternativmodelle:
- FDD2670TR-ND
- FDD2670-ND
Falls Sie weitere Informationen wünschen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Leistungsschaltung
Motorsteuerung
Netzteile
Automobiltechnik
Das principalement autorisierte Datenblatt für das Modell FDD2670 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
FAIRCHIL 09+
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
VBSEMI TO252
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
FDD26AN06 FAIRCHILD
FAIRCHILD TO-252
FDD2670-NL F
VBSEMI TO252D-PAK
FDD2572-NL V
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
FDD2572_F085 Fairchild/ON Semiconductor
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
FDD2670onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|