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| Artikelnummer: | FDC642P-F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5118 |
| 200+ | $0.1987 |
| 500+ | $0.1914 |
| 1000+ | $0.1885 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
| Grundproduktnummer | FDC642 |
| FDC642P-F085 Einzelheiten PDF [English] | FDC642P-F085 PDF - EN.pdf |




FDC642P-F085
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P-Kanal 20 V, 4 A (Ta), 1,2 W (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT-6 MOSFET
P-Kanal MOSFET
20 V Drain-Source-Spannung
4 A Dauer-Drainstrom
1,2 W Leistungsaufnahme
Oberflächenmontage Gehäuse SuperSOT-6
Effiziente Leistungs Schaltfunktion
Zuverlässige Performance
Kompakte Bauform
Schallbandund Reel-Verpackung (TR)
SOT-23-6 Dünngehäuse, TSOT-23-6
SuperSOT-6 Gerätegehäuse des Lieferanten
RoHS-konform
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