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| Artikelnummer: | 2SC6113 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILIC |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Transistor-Typ | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - |
| Leistung - max | - |
| Verpackung / Gehäuse | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | - |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | - |
| 2SC6113 Einzelheiten PDF [English] | 2SC6113 PDF - EN.pdf |




2SC6113
SAY
Der 2SC6113 ist ein spezialisiertes Hochleistungs-IC von SAY, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde.
Spezielles Hochleistungs-IC
Robustes Design
Hohe Leistungsfähigkeit
Zuverlässiger Betrieb
Effiziente Wärmeabfuhr
Optimiert für spezielle Anwendungen
PCS-Gehäuse
Verpackungsdetails sind im Datenblatt verfügbar
Der 2SC6113 ist ein aktives Produkt. Es können vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen.
Anspruchsvolle Anwendungen, die spezielle Hochleistungs-ICs erfordern
Das offizielle Datenblatt für den 2SC6113 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, dieses herunterzuladen.
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2SC6113Sanyo |
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