Das japanische Forschungsinstitut prognostiziert: Power Semiconductor Wafer Market, um im Jahr 2024 um 23,4% zu wachsen

Zeit: 2024/05/27

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Kürzlich veröffentlichte das japanische Marktforschungsunternehmen Fuji Keizai einen Forschungsbericht mit dem Titel "Neueste Trends und technologische Trends auf dem Markt für Power Device Wafer -Markt", in dem die Erkenntnisse zum Power -Semiconductor -Wafer -Markt zusammengefasst sind.

In dem Bericht heißt es, dass der Power -Halbleitermarkt voraussichtlich im Jahr 2024 um 23,4% wachsen wird und 281,3 Milliarden Yen erreicht.Obwohl der Markt für Silizium-Power-Halbleiterwafer aufgrund der Bestandsanpassungen voraussichtlich abnehmen wird, wird der Umsatz von SIC Bare Wafer voraussichtlich um 56,9% gegenüber dem Vorjahr steigen, was den Markt für Siliziumwafer aufgrund der erhöhten Produktionskapazität um den Hauptfach übertrifftHersteller.

Darüber hinaus soll der Markt ab 2025, da die Nachfrage nach Power -Halbleitern weiter wächst.Insbesondere aufgrund der erhöhten Nachfrage nach der Automobilelektrifizierung wird erwartet, dass SIC-Wafer ein langfristiger Markttreiber werden, wobei Siliziumwafer wahrscheinlich auch von Produktionsanpassungen erholt werden.Darüber hinaus wird erwartet, dass ein Anstieg der GaN -Waferdurchmesser und der Beginn der Massenproduktion von Galliumoxidwafern einen Beitrag leisten, wobei der Markt bis 2035 auf 1,0763 Billionen Yen ausgeht, was 4,7 -mal so groß ist wie 2023.

Trotz des Marktes für Power-Halbleiter, die sich noch in seiner entstehenden Stufe befinden, sind Technologien der nächsten Generation wie Diamond-Wafer, Aluminiumnitrid-Wafer und Germanium-Dioxid-Wafer in der Entwicklung und ihre praktischen Anwendungen werden mit stark erwartet.

Der Bericht stellt fest, dass in den letzten Jahren, als die Nachfrage nach Power -Halbleitern zugenommen hat, die Durchmesser von Wafern weiter wachsen, um ein angemessenes Angebot zu gewährleisten.Zusätzlich zur Verschiebung von 300-mm-Silizium-Wafern wird der Markt für SIC-Bare-Wafer voraussichtlich ab 2025 mit 8 Zoll (200 mm) Wafern startenfür Power -Halbleiter.

Derzeit wird die Mehrheit der Silizium-Power-Halbleiter von 8-Zoll-Wafern geliefert, und es wird erwartet, dass diese Größe in Zukunft über 60% des Marktes (basierend auf Wafer) noch ausmachen wird.Die Verwendung von 300-mm-Wafern nimmt für IGBTs und MOSFETs zu, und mit steigenden Anforderungen an den Sektoren Automobil- und Elektrogeräte wird die Annahme voraussichtlich weiter zunehmen, was zu einer Trennung von 8-Zoll- und 300-mm-Wafern für bestimmte Geräte in der Zukunft führt.

Während SIC Bare Wafers derzeit von 6-Zoll-Größen dominiert werden, wird dieser Trend voraussichtlich eine Weile fortgesetzt.Es wird jedoch erwartet, dass ein 8-Zoll-Wafermarkt ab 2025 bildet, wobei einige Stichproben-Sendungen bereits im Gange sind.Bis 2035 werden diese voraussichtlich 13,3% aller SIC -bloßen Wafer (nach Wafer) ausmachen.Es wird jedoch erwartet, dass traditionelle 4-Zoll-Wafer nur in ausgewählten Regionen wie China und Japan eingesetzt werden. Zukünftige Marktgrößen werden voraussichtlich abnehmen.