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Zeit: 2025/11/25
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Die MPF102 ist ein klassischer N-Kanal-JFET, der für seine hohe Eingangsimpedanz und sein rauscharmes Verhalten bekannt ist.Als Bauelement im Verarmungsmodus leitet es mit einer Gate-Source-Spannung von Null und reduziert den Stromfluss, wenn eine negative Gate-Spannung angelegt wird.Seine typischen Eigenschaften – wie IDSS im Bereich von etwa 2 bis 20 mA und eine Pinch-off-Spannung nahe –3 V – machen es vielseitig für analoge Designs.
Seine einfachen Bias-Anforderungen, insbesondere in Self-Bias-Konfigurationen, ermöglichen eine einfache Implementierung in Common-Source- oder Source-Follower-Stufen.Aufgrund der geringen Gate-Kapazität und des geringen Verlustleistungsbedarfs bleibt der MPF102 eine beliebte Wahl für alle, die an leichten analogen Schaltkreisen arbeiten, obwohl es sich um eine ältere, inzwischen veraltete Komponente handelt.
Wenn Sie am Kauf des N-Kanal-JFET MPF102 interessiert sind, kontaktieren Sie uns bitte bezüglich Preis und Verfügbarkeit.
|
Parameter |
MPF102 |
NTE457 |
J113 |
2N5457 |
BF245A/B/C |
J201 |
|
Typ |
N-Kanal-JFET |
N-Kanal-JFET |
N-Kanal-JFET |
N-Kanal-JFET |
N-Kanal-JFET
Serie |
N-Kanal-JFET |
|
Modus |
Erschöpfung |
Erschöpfung |
Erschöpfung |
Erschöpfung |
Erschöpfung |
Erschöpfung |
|
IDSS-Bereich |
2–20 mA |
2–20 mA |
2–60 mA |
1–5 mA |
A: 2–6 mA / B:
6–12 mA / C: 12–25 mA |
0,2–1 mA |
|
VGS(aus) |
–1 bis –8 V |
–1 bis –8 V |
–0,5 bis –4 V |
–0,5 bis –6 V |
–0,5 bis –8 V |
–0,3 bis –1,5 V |
|
Max. VDS |
25 V |
25 V |
35 V |
25 V |
30 V |
40 V |
|
Geräuschpegel |
Niedrig |
Niedrig |
Sehr niedrig |
Niedrig |
Niedrig |
Sehr niedrig |
|
Eingabe
Kapazität |
Niedrig |
Niedrig |
Niedrig |
Niedrig |
Niedrig |
Sehr niedrig |
|
Paket |
TO-92 |
TO-92 |
TO-92 |
TO-92 |
TO-92 |
TO-92 |

|
Pin
Nummer |
Pin
Name |
Beschreibung |
|
1 |
Abfluss (D) |
Der Abfluss ist der
Anschluss, durch den der gesteuerte Strom aus dem JFET fließt.
In den meisten Verstärker- und Schaltkreisen mit der Last verbunden. |
|
2 |
Quelle (S) |
Die Quelle ist
der Anschluss, über den Strom in den JFET gelangt.Oft mit Erde verbunden
über einen Widerstand zur Selbstvorspannung. |
|
3 |
Tor (G) |
Das Tor
steuert die Kanalleitfähigkeit.Anlegen einer negativen Spannung relativ zu
Die Quelle reduziert den Stromfluss (Betrieb im Verarmungsmodus). |
|
Bewertung |
Symbol |
Wert |
Einheit |
|
Abfluss–Quelle
Spannung |
VDS |
25 |
Vdc |
|
Abflusstor
Spannung |
VDG |
25 |
Vdc |
|
Tor–Quelle
Spannung |
VGS |
–25 |
Vdc |
|
Gate-Strom |
IG |
10 |
mAdc |
|
Gesamtgerät
Verlustleistung bei TA = 25 °C |
PD |
350 |
mW |
|
Herabsetzung oben
25°C |
- |
2.8 |
mW/°C |
|
Kreuzung
Temperaturbereich |
TJ |
125 |
°C |
|
Lagerung
Temperaturbereich |
Tstg |
–65 bis +150 |
°C |
|
Charakteristisch |
Symbol |
Min |
Max |
Einheit |
|
Tor–Quelle
Durchbruchspannung |
V(BR)GSS |
–25 |
- |
V |
|
Torumkehr
Aktuell |
IchGSS |
- |
–2,0 |
nA / µA |
|
Tor–Quelle
Abschaltspannung |
VGS(aus) |
- |
–8,0 |
V |
|
Tor–Quelle
Spannung |
VGS |
–0,5 |
–7,5 |
V |
|
Null-Gate-Spannung
Strom ableiten |
IchDSS |
2,0 |
20 |
mA |
|
Weiterleitung
Eintritt |
- |
yfs |
1600 |
- |
|
Eingangszulassung |
Re(yis) |
- |
800 |
µmhos |
|
Ausgabe
Leitfähigkeit |
Re(yos) |
- |
200 |
µmhos |
|
Eingabe
Kapazität |
Ciss |
- |
7.0 |
pF |
|
Rückübertragung
Kapazität |
Krss |
- |
3,0 |
pF |
N-Kanal-JFET (Junction Field-Effect Transistor)
Rauscharmes Verstärkergerät
Hohe Eingangsimpedanz
Drain-Source-Spannung (VDS max): typischerweise etwa 25 V
Gate-Source-Abschaltspannung (VGS(aus)): ca. –0,5 V bis –8 V
Drain-Strom (IDSS): typischerweise 2 mA bis 20 mA
Niedriger Gate-Leckstrom
Durchsteckbares TO-92-Gehäuse

Der MPF102 ist ein N-Kanal-JFET, der auf natürliche Weise leitet, wenn seine Gate-Source-Spannung (VGS) Null ist, was bedeutet, dass das Gerät normalerweise eingeschaltet ist.Im linken Diagramm ist das Gate mit Masse verbunden, sodass die Quelle ebenfalls auf Massepotential liegt und VGS = 0 ist. Da keine Sperrvorspannung an das Gate angelegt wird, bleibt der JFET-Kanal offen und Strom fließt von der +5-V-Versorgung durch die LED und dann durch den JFET zur Masse, wodurch die LED aufleuchtet.Im rechten Diagramm wird das Gate auf –7,5 V gezogen, wodurch eine starke Sperrvorspannung am Gate entsteht.Dieses negative VGS klemmt den Kanal ab und schaltet den JFET aus.Dadurch fließt kein Strom durch die LED und sie bleibt dunkel.Dies zeigt die grundlegende Verwendung des MPF102: Die Gate-Spannung steuert die Leitung, wobei eine negative Gate-Spannung von Null oder eine kleine negative Gate-Spannung ihn einschaltet und eine ausreichend negative Spannung ihn ausschaltet.

Die Eingangsadmittanzkurve zeigt, wie leicht Wechselstromsignale in den Gate-Source-Pfad des MPF102 gelangen können.Mit zunehmender Frequenz steigen sowohl die Eingangsleitfähigkeit (gᵢₛ) als auch die Eingangssuszeptanz (bᵢₛ), was bedeutet, dass das Gerät bei hohen Frequenzen mehr AC-Eingangsstrom zieht.Die Suszeptanzkomponente wächst hauptsächlich aufgrund der internen Kapazitäten des JFET, die bei HF-Frequenzen dominanter werden.Diese Kurven zeigen, dass der MPF102 bei niedrigen Frequenzen eine leichte Last darstellt, mit steigender Frequenz jedoch zunehmend reaktiver und leitfähiger wird.
Die Admittanzkurve für den umgekehrten Transfer beschreibt, wie viel Signal vom Drain zum Gate zurückfließt.Obwohl sowohl die Leitfähigkeit (gᵣₛ) als auch die Suszeptanz (bᵣₛ) mit der Frequenz zunehmen, bleiben ihre Werte sehr klein, was darauf hindeutet, dass der MPF102 eine gute Sperrisolierung bietet.Dies bedeutet, dass unerwünschte Rückkopplungen vom Ausgang zum Eingang minimal sind, was für stabile HF-Verstärkerdesigns wichtig ist.Die Kurve zeigt auch den Betrieb bei zwei Drain-Strömen (I_DSS und 0,25 I_DSS) und hilft Entwicklern zu erkennen, wie sich die Rückkopplung bei unterschiedlichen Vorspannungspegeln verhält.

Die Vorwärtsübertragungs-Admittanzkurve stellt die effektive Transkonduktanz des JFET dar, die bestimmt, wie stark das Gerät ein Signal verstärkt.Bei niedrigeren Frequenzen bleibt die Vorwärtstranskonduktanz (g𝒻ₛ) relativ hoch und flach, was auf eine gute Verstärkung hinweist.Mit zunehmender Frequenz nimmt die Transkonduktanz allmählich ab, was zeigt, wo das Gerät anfängt, an Verstärkungsfähigkeit zu verlieren.Der Suszeptanzterm (b𝒻ₛ) nimmt aufgrund der internen Kapazitäten mit der Frequenz zu.Diese Kurven definieren die oberen Frequenzgrenzen des MPF102 für den Betrieb mit hoher Verstärkung.
Die Ausgangsadmittanzkurve zeigt, wie sich der Drain-Anschluss bei steigender Signalfrequenz verhält.Sowohl die Ausgangsleitfähigkeit (gₒₛ) als auch die Suszeptanz (bₒₛ) steigen mit der Frequenz, was bedeutet, dass der Ausgang weniger ideal wird und stärker von internen Kapazitäten und Kanalwiderständen beeinflusst wird.Bei niedrigeren Frequenzen ist die Ausgangsadmittanz klein, sodass sich das Gerät wie eine hochohmige Stromquelle verhält.Mit zunehmender Frequenz wird der Drain verlustbehafteter und reaktiver, was auf eine verringerte Leistung bei hochfrequenten, lastempfindlichen Anwendungen hinweist.
HF-Verstärker (VHF/UHF-Frontend-Stufen)
Rauscharme Vorverstärker für Rundfunkempfänger
Eingangspufferstufen mit hoher Impedanz
Kleinsignal-Audioverstärker
Mischer- und Oszillatorschaltungen
Analoge Schalter und elektronische Steuerschaltungen
Spannungsgesteuerte Widerstände (im linearen Bereich)
Signaldetektoren und HF-Sonden
Sensorschnittstellenschaltungen erfordern eine extrem hohe Eingangsimpedanz
Testgeräte und Messfrontends
DIY-Radio- und Tuner-Projekte
Breitband- und Schmalband-Verstärkerstufen

|
Parameter |
MPF102 |
2N5486 |
J310 |
|
Typ |
N-Kanal-JFET |
N-Kanal-JFET |
N-Kanal-JFET |
|
Abfluss–Quelle
Spannung (VDS max)
|
25–30 V |
25 V |
35 V |
|
Tor–Quelle
Spannung (VGS max) |
−25 V |
−25 V |
−40 V |
|
IDSS (Entleeren
Strom bei VGS = 0) |
2–20 mA |
4–10 mA |
24–60 mA |
|
Torabschaltung
Spannung (VGS(aus)) |
−0,5 bis −8 V |
−2 bis −6 V |
−1 bis −6 V |
|
Transkonduktanz
(gm) |
2–6 mS |
4–10 mS |
12–25 mS |
|
Eingabe
Kapazität (Ciss) |
~ 2–4 pF |
~ 4 pF |
~ 4–5 pF |
|
Rauschzahl |
Niedrig |
Niedrig |
Sehr niedrig
(optimierte HF) |
|
Typische Verwendung
Frequenzbereich |
HF–UKW |
HF–UKW |
VHF–UHF (bis zu
GHz-Anwendungen) |
|
Über Widerstand
(RDS(ein)) |
Mäßig |
Niedriger als
MPF102 |
Sehr niedrig |
|
Pakettyp |
TO-92 |
TO-92 |
TO-92 |
|
Eigenschaften |
Hoher Input
Impedanz, rauscharm, Allzweck-HF-JFET |
Stärkere Strömung
Leistungsfähigkeit und höhere GM, bessere Linearität |
Sehr hoher gm,
Starke HF-Leistung, hohes IDSS für Bühnen mit hoher Verstärkung |

Vorteile des MPF102
Das in Sperrrichtung vorgespannte JFET-Gate des MPF102 bietet eine Eingangsimpedanz im Megaohm-Bereich und ist damit ideal für hochohmige Quellen wie Sensoren, Tonabnehmer, Puffer und Vorverstärker.
Seine JFET-Struktur erzeugt ein geringes Eigenrauschen, wodurch sich der MPF102 für empfindliche HF-Verstärker, Audio-Vorverstärker und Kleinsignal-Erkennungsschaltungen eignet.
Das Gerät funktioniert gut bei hohen Frequenzen und wird aufgrund seiner geringen Kapazität und schnellen Reaktion häufig in HF-Frontends, Oszillatoren und VHF-Verstärkern eingesetzt.
Der MPF102 kann mithilfe einfacher Widerstandsnetzwerke problemlos vorgespannt werden, was ihn für Einsteiger und für analoge Designs mit geringer Komponentenanzahl geeignet macht.
JFETs wie der MPF102 benötigen einen minimalen Gate-Strom und arbeiten mit einem niedrigen Drain-Strom, was sie für batteriebetriebene Geräte effizient macht.
Einschränkungen von MPF102
Wichtige Eigenschaften wie IDSS, VGS(aus) und Transkonduktanz variieren stark von Gerät zu Gerät, was Präzision oder Matched-Channel-Designs erschweren kann.
Der MPF102 kann nur niedrige Drainströme verarbeiten und ist daher für Anwendungen mit hoher Leistung oder hoher Last ungeeignet.
Aufgrund seiner analog orientierten Eigenschaften und langsameren Schaltfähigkeit im Vergleich zu MOSFETs ist es nicht die beste Wahl für digitale oder Hochgeschwindigkeitsschaltkreise.
Da es sich um einen älteren JFET-Typ handelt, kann die Verfügbarkeit inkonsistent sein und die Leistung kann je nach Hersteller oder Ersatzmodellen wie J201 oder BF245 unterschiedlich sein.
Der MPF102 verfügt über relativ bescheidene Drain-Source-Spannungsgrenzen, was seinen Einsatz in analogen Hochspannungsschaltungen einschränkt.
Onsemi ist ein führender Halbleiterhersteller, der für die Bereitstellung äußerst zuverlässiger, energieeffizienter Stromversorgungs- und Sensorlösungen für die Automobil-, Industrie- und Cloud-/5G-Märkte bekannt ist.Das Unternehmen ist auf fortschrittliche Leistungsgeräte wie MOSFETs, IGBTs, SiC-Module und intelligente Leistungs-ICs sowie auf ein breites Portfolio an Bildsensoren, analogen ICs, Signalaufbereitungskomponenten und diskreten Geräten wie Dioden, BJTs und JFETs wie den MPF102 spezialisiert.
Der MPF102 wird hauptsächlich in HF-Frontends, Audio-Vorverstärkern und Hochimpedanz-Pufferschaltungen verwendet, insbesondere bei der Reparatur von Heimwerker-, Bildungs- und Altgeräten.
Der ursprüngliche MPF102 ist veraltet, aber gleichwertige N-Kanal-JFETs mit ähnlichen Parametern werden immer noch von mehreren Herstellern hergestellt.
Ja.Aufgrund seiner hohen Eingangsimpedanz und seines geringen Rauschens eignet es sich für Gitarrenvorverstärker, Piezo-Tonabnehmer und Klangformungsschaltungen.
Zu den gängigen Ersetzungen gehören J113, die BF245-Serie und J201, abhängig von den erforderlichen IDSS- und VGS(off)-Bereichen.
Ja.Es funktioniert gut in Stromkreisen von 5 V bis 12 V und ist daher zuverlässig für batteriebetriebene und tragbare Geräte.
Ja.In seinem linearen Bereich kann der MPF102 als spannungsgesteuerter Widerstand für analoge Steuer- oder Modulationsschaltungen fungieren.
Im Gegensatz zu MOSFETs ist der MPF102 ein JFET im Verarmungsmodus, der normalerweise bei einer Gate-Vorspannung von 0 V leitet und eine viel höhere Eingangsimpedanz bietet.
IC ADC 10BIT SAR 16TSSOP
IC ADC 12BIT PIPELINED 28SSOP
IC MCU 32BIT 512KB FLASH 88QFN
IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP
IC SWITCH SPDT X 3 25OHM 16SOIC
FIXED IND 6.8NH 600MA 240MOHM SM
IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
TLS1043APN TI
RGF1B-E3/5CA VISHAY
CAP TANT 10UF 20% 20V 2312
CAP TANT 0.33UF 20% 25V 1206
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23

