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| Artikelnummer: | FQP19N10L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.5075 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A (Tc) |
| FQP19N10L Einzelheiten PDF [English] | FQP19N10L PDF - EN.pdf |




FQP19N10L
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N-Kanal 100V, 19A (Tc), 75W (Tc), Durchsteckmontage, TO-220-3
N-Kanal MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
19A Dauer-Drain-Strom
75W Verlustleistung
Durchsteckgehäuse TO-220-3
Zuverlässige Leistung
Hohe Strombelastbarkeit
Geeignet für eine Vielzahl an Anwendungen
Verpackungsart: Streifen
Gehäusetyp: TO-220-3
Bleifrei / RoHS-konform
Dieses Produkt ist ein aktives und verfügbares Bauteil.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, einschließlich FQP17P10 und FQP20N10.
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Website.
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Motoransteuerungen
Lichtsteuerungen
Industrieanlagen
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