Deutsch
| Artikelnummer: | NTB60N06G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Ta) |
| Grundproduktnummer | NTB60 |
| NTB60N06G Einzelheiten PDF [English] | NTB60N06G PDF - EN.pdf |




NTB60N06G
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTB60N06G ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einem Dauer-Drain-Strom von 60 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für verschiedenste Anwendungen im Leistungsmanagement geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
60 V Drain-Source-Spannung
60 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand
Schnelle Schaltfähigkeit
Hervorragende Leistung im Bereich Leistungsmanagement
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Geeignet für ein breites Temperaturspektrum
Der NTB60N06G wird im TO-263-3 Gehäuse (D2PAK, 2 Leads + Anschlussfläche), TO-263AB Oberflächenmontage verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit.
Der NTB60N06G ist ein auslaufendes Produkt. Es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden gebeten, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über unsere Website zu wenden.
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltregler
Inverter
Industrieund Automobil-Elektronik
Das autoritative Datenblatt für den NTB60N06G steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr zu diesem Produkt.
VBSEMI D2PAK
NTB6410AN ON
NTB60N06 ON
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
ON TO263
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
VBSEMI TO-263
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
NTB6411AN ON
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
POWER MOSFET 60V 169A, SINGLE N-
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/08/1
2025/01/27
2025/04/17
2024/04/13
NTB60N06Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|