SK hynix veröffentlicht Finanzbericht für das dritte Quartal des Geschäftsjahres 2019

24. Oktober 2019 - SK hynix (oder 'Company', www.skhynix.com) gab heute den Finanzbericht für das dritte Quartal 2019 am 30. September 2019 bekannt. Im dritten Quartal belief sich der kombinierte Umsatz auf 6,84 Billionen Won, das Betriebsergebnis 472,6 Milliarden Won und der Nettogewinn betrug 495,5 Milliarden Won. Die operative Marge für das Quartal betrug 7% und die Nettogewinnmarge 7%.

Im dritten Quartal stieg der Umsatz aufgrund des Trends zur Wiederherstellung der Nachfrage gegenüber dem Vorquartal um 6%. In Bezug auf die Rentabilität konnten die DRAM-Stückkosten zwar gesenkt werden, der Marktpreisrückgang konnte jedoch nicht vollständig kompensiert werden, und das Betriebsergebnis ging um 26% zurück.

Bei DRAM reagierte das Unternehmen positiv auf neue mobile Produkte, und da einige Kunden in Rechenzentren ihre Einkäufe erhöhten, stiegen die DRAM-Bit-Lieferungen um 23%, die Preise sanken jedoch weiter und die durchschnittlichen Verkaufspreise fielen um 16%. . Der Rückgang der durchschnittlichen Verkaufspreise hat sich jedoch gegenüber dem Vorquartal verringert.

Für NAND-Flash reagierte das Unternehmen aktiv auf den Markt für leistungsstarke Mobil- und SSD-Lösungen mit einer anhaltenden Nachfrageerholung. Die Bit-Lieferungen des Unternehmens gingen jedoch um 1% zurück, da der Einzelverkauf des Unternehmens im Vorquartal vorübergehend gestiegen war. Der durchschnittliche Verkaufspreis stieg jedoch gegenüber dem Vorquartal um 4%, da der Anteil der relativ günstigen Einzelverkäufe gesunken ist.

SK hynix plant, Produktion und Investition flexibel an die Marktbedingungen anzupassen und gleichzeitig den steigenden Anforderungen der Kunden gerecht zu werden und effektiv auf Nachfrageschwankungen zu reagieren, die durch externe Unsicherheiten verursacht werden.

SK hynix stellt einen Teil seiner Produktionslinie im Werk Icheon M10 auf eine Produktionslinie für die Massenproduktion von CMOS-Bildsensoren (CIS) um und reduziert gleichzeitig die Produktion von 2D-NAND-Flash-Speichern. Infolgedessen wird erwartet, dass die Produktionskapazität von DRAM- und NAND-Flash-Speichern im nächsten Jahr im Vergleich zum Vorjahr sinkt. Gegenüber diesem Jahr wird sich auch das Investitionsvolumen im nächsten Jahr erheblich reduzieren.

Darüber hinaus plant SK hynix, eine neue Generation von Mikrotechnik-Technologien weiterzuentwickeln und andere Produktportfolios durch die Ausweitung des Absatzes von Produkten mit hoher Wertschöpfung zu erweitern, um das Marktwachstum zu verbessern.

SK hynix plant, die Produktion von 10-nm-DRAM der zweiten Generation (1 Jahr) bis Ende nächsten Jahres auf 10% zu steigern, und plant, das kürzlich entwickelte 10-nm-Projekt der dritten Generation (1Z) in Serie zu produzieren. Darüber hinaus plant das Unternehmen, aktiv auf die Märkte LPDDR5 und HBM2E zu reagieren. Diese Produkte werden voraussichtlich im nächsten Jahr von den Kunden aktiv angenommen.

Das Unternehmen wird die Produktion von 4D-NAND-Flash-Produkten mit 96 Schichten bis zum Jahresende auf die zweite Jahreshälfte ausweiten und die Massenproduktion und Verkaufsvorbereitung von 4D-NAND-Flash-Speichern mit 128 Schichten vorantreiben. Darüber hinaus konzentriert sich das Unternehmen auf den hochkarätigen Markt für Smartphones und SSDs, und es wird erwartet, dass der Anteil von SSDs am NAND-Flash-Umsatz von SK hynix im vierten Quartal auf 30% steigen wird.

SK hynix sagte: "Wir werden die Volatilität unseres Geschäfts auf der Grundlage der Erfahrung dieses Marktabschwungs minimieren. Gleichzeitig werden wir unsere Bemühungen um ein nachhaltiges Wachstum verstärken."