DRAM in der zweiten Hälfte des Marktes ausgesetzt

Nach Samsung und Micron beschloss auch der südkoreanische Speicherriese SK Hynix, das Tempo des neuen Wuxi DRAM-Werks auf dem Festland zu verlangsamen, um eine Produktionskapazität von bis zu 180.000 Stück pro Monat zu erreichen, was dazu beitragen wird, das kurzfristige Überangebot des Marktes zu beseitigen und lassen Sie den DRAM-Preis fallen. .

Die juristische Person wies darauf hin, dass Samsung, Hynix und Micron mit einem Gesamtmarktanteil von über 95% die drei weltweit führenden DRAM-Hersteller sind. Die drei Unternehmen haben ihre Produktion verlangsamt und die Kontrolle des Marktangebots unterstützt. Die Marktbedingungen in der zweiten Jahreshälfte dürften in einen positiven Zyklus eintreten. Es ist vorteilhaft für Taiwan Instruments wie South Asia Branch.

Die Speicherindustrie gab an, dass die drei großen Speicherfabriken den Anstieg der DRAM-Produktion verlangsamt haben. Offenbar haben auch die Unsicherheiten im chinesisch-amerikanischen Handelskrieg zugenommen, was die nachgelagerte Kaufkraft geschwächt hat. Die drei DRAM-Hersteller haben gleichzeitig ihren Lagerbestand erhöht. Ich befürchte, dass das kurzfristige Angebot zu schwer zu verstehen sein wird und der Preis nicht aufhören kann zu fallen.

Nach Angaben von Branchenanalysten erzielt das DRAM-Geschäft der drei großen Hersteller nach wie vor Gewinne und ist für jedes Unternehmen die wichtigste Gewinnquelle. Wird die Produktionskapazität nicht streng kontrolliert, führt dies zu einem kontinuierlichen Gewinnrückgang. Die drei großen Werke haben das Expansionstempo sukzessive vorangetrieben. Das Wichtigste ist, das Marktangebot moderat zu halten und die Marktbedingungen in eine positive Richtung zu lenken, um eine stabile Gewinnsituation für das DRAM-Geschäft des eigenen Unternehmens aufrechtzuerhalten.

Laut dem koreanischen Medieninvestor plante SK Hynix ursprünglich, 950 Milliarden Won (etwa 800 Millionen US-Dollar) neben dem Wuxi C2-Werk auf dem chinesischen Festland auszugeben, um ein C2F-Werk zur Herstellung von DRAM zu errichten. Das neue Werk wurde im April fertiggestellt Dieses Jahr, ursprünglich für das dritte Jahr geplant. Die Staffel wird bei 10 nm und einer monatlichen Kapazität von 180.000 Stück serienmäßig hergestellt.

Quellen zufolge hat SK hynix den chinesisch-amerikanischen Handelskrieg in Betracht gezogen, der zu einem Rückgang der Nachfrage nach Smartphones, Servern und Personalcomputern führte, was sich auf die Nachfrage nach DRAM auswirkte, und beschlossen, den Start neuer Kapazitäten zu verzögern. Fast 40% des Umsatzes von SK hynix stammten im vergangenen Jahr aus China, auf Huawei entfielen 12%.

Branchenkenner wiesen darauf hin, dass Samsung und Micron seit dem ersten Quartal dieses Jahres unter dem Druck steigender DRAM-Lagerbestände stehen. Samsung startete im ersten Quartal ebenfalls einen Preiskampf und gewann eine Menge Marktanteile zurück. Micron stand in diesem Quartal unter Druck und führte zu Preissenkungen. Die Vorräte haben den DRAM-Rückgang im ersten Halbjahr erhöht.

Die Branche gab bekannt, dass der DRAM-Preis nach einem heftigen Abwärtstrend in naher Zukunft eine Erholung der Nachfrage verzeichnen wird. Erstens hat sich der stagnierende nordamerikanische Servermarkt in den vergangenen Monaten erholt. Bei Unterhaltungselektronik und Computerprodukten hat das System aufgrund des Mangels an Intel-CPUs in der zweiten Jahreshälfte begonnen, die Nachfrage nach Lagerbeständen zu erhöhen.

Große Speicherhersteller und Modulhersteller sind immer noch optimistisch, was die langfristige Entwicklung von DRAM- und Speicher-Flash-Speichern (NANDFlash) anbelangt, was hauptsächlich auf den Einstieg in die 5G- und künstliche Intelligenz-Ära zurückzuführen ist, unabhängig vom Bedarf an Cloud-Servern und Edge-Green-Computing Speicher als Hochgeschwindigkeitsbetrieb und Speicherkomponenten. Gegenwärtig sind die beiden wichtigsten Erinnerungen aufgrund der kurzfristigen Nachfrage gesunken, aber die zukünftige Nachfrage nach Anwendungen wird in verschiedenen Bereichen weiter zunehmen. Die beiden Hauptspeicher sind zu Schlüsselkomponenten von Halbleitern geworden, und eine langfristige Entwicklung wird erwartet.